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MP1907与PDS360Q升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-04 预览:751

MP1907与PDS360Q升降压芯片性能介绍

随着大陆成立国家集成电路产业发展基金(大基金)开始扩大投资,大陆半导体生产链持续扩大产能,产值正快速扩张。根据CSIA统计,今年第一季大陆半导体产业产值约达人民币798.6亿元(约折合新台币3,833亿元),与中国台湾第一季半导体产业产值新台币5,441亿元仍有明显落差,但大陆第二季半导体产业产值已经快速成长到人民币1,048.5亿元(约折合新台币5,033亿元),季增率高达31.3%,与中国台湾第二季半导体产值新台币6,014亿元相较,差距正在快速拉近 。

一、MP1907升降压芯片性能介绍

• 100V 、2.5A 高频半桥栅极驱动

• 驱动 N-通道 MOSFET 半桥

• 100V VBST 电压范围

• 输入信号重叠保护

• 集成自举二极管

• 20ns 的典型延迟

• 小于 5ns 的栅极驱动失配

• 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间

• TTL 可兼容输入

• 静态电流小于 150μA

• 关断电流小于 5μA

• 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护

• 采用 3×3mm QFN10 封装

二、PDS360Q升降压芯片性能介绍

• VR(V)60     IF (A)  3.0 

• VF MAX (V) @ +25°C    0.62

• IR MAX (mA) @ +25°C  0.15

• 3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER POWERDI®





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