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BAV170Q与PI3USB31532ZLEX升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-05 预览:743

BAV170Q与PI3USB31532ZLEX升降压芯片性能介绍

并购的驱动力通常来自于通过经济规模最大化而获得的高效率。在大多数行业,制造业的经济规模是最重要的 ,这一规律对于集成设备制造商尤为适用。然而 ,IDM模式在过去几十年的半导体行业当中不断萎缩,取而代之的是少数几个IDM寡头 ,如英特尔和三星 ,还有存储器厂商,以及生产模拟、混合信号、RF和功率半导体的制造工艺差异化公司。

一 、BAV170Q升降压芯片性能介绍

• 贴装低泄漏二极管

• VRRM VRWM VR 85V

• VR(RMS) 60V

• IFM  单 215  双125mA

• IFSM  4.0-0.5

二、PI3USB31532ZLEX升降压芯片性能介绍

• USB 3.2 Gen 2/Display Port 1.4 Crossbar Switch for Type-C

• 6差分通道至2/4差分通道交叉开关

• USB 3.1 Gen2 10Gb/s超高速和DP 1.4 8Gb/s切换到USB型CTM连接器

• 支持引脚控制或I2C控制来配置mux

• 低插入损耗:-1.7dB@10Gb/s

• 回波损耗 :10Gb/s时为15dB

• 串扰:10Gb/s时为38dB

• 关闭隔离:-22dB@10Gb/s  -3dB带宽:8.3GHz





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