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解析升降压芯片的三种死亡方式

时间:2021-11-01 预览:984

解析升降压芯片的三种死亡方式(图1)

升降压芯片的体积小,但它具有复杂内部结构。随着电子技术的高速发展,人们对电子元器件的要求越来越高,而芯片的死亡方式也变得多样化。今天小编为大家讲解升降压芯片的三种死亡方式。

1、死于升降压芯片的设计

芯片设计要经过相当复杂的过程,即前端设计、后端设计 、投片生产。芯片需要通过几百道不同工艺加工处理,而造成芯片的死亡,主要原因是芯片设计过程特殊化,旧技术不适用于新技术 。

2 、死于升降压芯片的制造

芯片尺寸存在物理限制,摩尔定律逐渐失效,尘埃能毁掉晶圆片上的裸片 ,对于成熟的工艺节点 ,产率能达到80%-90%,但对于新节点,产率低于50% ,生产成本高,良品率低 。

3、死于升降压芯片的操作

大多数半导体厂商为了降低生产成本而使用嵌入式电源,提高工作功率,从而使电子元器件发热,芯片发热会退化晶体管与芯片的连接,最终影响性能和可靠性 。





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