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NB650AGL-Z与MP2651升降压芯片的特性

时间:2022-07-20 预览:937

NB650AGL-Z与MP2651升降压芯片的特性

存储产业正在发生剧烈的变化,这个剧烈的变化一大推动力来自于存储介质的变化 。大存储是上下游。今天看到2D闪存是主流 ,未来3D将流行。闪存是目前为止存储的答案而已 ,将来可能有更新的介质 。虽然betway88现在做3D的方案 ,但是betway88更加关注将来的可能,因为betway88不愿意被淘汰,一直在怀着谦卑的心来看这件事情。

一、NB650AGL-Z升降压芯片的特性

6A, 28V ,高效同步降压变换器 ,具有快速瞬态响应、2位 VID输入以及OCP锁存模式。

二、MP2651升降压芯片的特性

• I2C 控制、USB PD 6A 升降压充电器 IC ,具有 OTG/源模式,适用于 1 至 4 节串联电池应用

• 用于 1 至 4 节串联电池组的升降压充电器 IC

• 4V 至 22V 工作输入电压 (VIN) 范围

• 高达 26V 的可耐受电压,或在使用外部 MOSFET时高达 28V的可耐受电压

• 高达 6A 的输出电流 (IOUT),步进值为 50mA

• 500kHz 至 1.2MHz 可配置开关频率 (fSW)






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