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我国在积极发展人工智能技术。国家发改委网站正式公告，国家发展改革委、科技部、工业和信息化部
、中央网信办制定了《“互联网+”人工智能三年行动实施方案》。方案提出
，到2018年打造人工智能基础资源与创新平台，人工智能产业体系
、创新服务体系、标准化体系基本建立
，基础核心技术有所突破，总体技术和产业发展与国际同步
，应用及系统级技术局部领先。在重点领域培育若干全球领先的人工智能骨干企业，初步建成基础坚实、创新活跃、开放协作、绿色安全的人工智能产业生态，形成千亿级的人工智能市场应用规模
。

一
、DMN3110LCP3升降压芯片的特性

• N沟道增强型MOSFET

• BVDSS 30V

• RDS(ON) Max    60mΩ @ VGS = 8V Id  3.9A 72mΩ @ VGS = 4.5V  Id  3.5A

二
、MP2491CGQB-Z升降压芯片的特性

MP2491C 是一款全集成高压降压变换器。MP2491C 在宽输入范围内可实现 6A 连续输出电流，具有极好的负载和线性调节性能。