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DIODES升降压芯片低功耗设计

时间:2021-12-20 预览:768

DIODES升降压芯片低功耗设计(图1)

随着升降压芯片尺寸越来越小,低功耗升降压芯片作为一种新兴的芯片设计方法 ,将在当前和未来的芯片领域中发挥越来越重要的作用。DIODES低功耗升降压芯片设计促进了智能手机、移动设备 、物联网、高性能计算等产业的快速发展。

DIODES升降压芯片的功耗常见有三部分,即动态功耗 、短路功耗和静态功耗 ,其中动态功耗是指运行时负载电容充放电引起的,短路功耗是指电路在运行过程中导致瞬态短路引起的 ,静态功耗是指电路中泄露电流引起的。因此 ,芯片的低功耗设计主要是关于如何降低这三个部分的功耗。

功耗会影响电路整体的性能,DIODES升降压芯片散热以及芯片运行的可靠性等一系列问题,已经成为芯片设计中最重要的因素 ,由于器件技术、电路设计、系统集成、和软件开发等技术一直不断地在改进,低功耗升降压芯片设计也会在这些领域中不断地发展 。





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