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新闻

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2022-07

FZT651TA与MP1612升降压芯片的特性

一、FZT651TA升降压芯片的特性特征* BVCEO>60V* IC=3A高持续电流* ICM=6A峰值脉冲电流* 低饱和电压VCE(sat)<300mV@1A* 补充PNP类型 :FZT751* 无铅饰面 ;符合RoHS(注1和2)* 无

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2022-07

SBRT3U40P1-7与MP1605升降压芯片的特性

一、SBRT3U40P1-7升降压芯片的特性项目详情* 封装在紧凑的热效率PowerDI®123中* SBRT3U40P1提供极低的VF和极好的反向泄漏* 高温稳定性。非常适合用作整流器MR16桥式整流器应用中的二极管。应用* 桥式二极管* 阻塞二极

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2022-07

DMTH4005SK3Q-13与MP1584升降压芯片的特性

一、DMTH4005SK3Q-13升降压芯片的特性项目详情BVDSS RDS(ON)最大ID TC=+25摄氏度40V 4.5mΩ @ VGS=10V 95A说明和应用这种MOSFET的设计符合严格的要求,它符合AEC-Q101的要求,由PPAP,非

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2022-07

PI3USB302-AZBEX与MP173升降压芯片的特性

一 、PI3USB302-AZBEX升降压芯片的特性二极管的PI3USB302-A是一种2差分通道双向多路复用器/解复用器开关。由于其较低的位对位偏移,高通道间噪声隔离度和带宽,该产品非常适合5.0 Gbps的USB 3.0信号交换 。二、MP173升降

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2022-07

BC847AT-7-F与MP174升降压芯片的特性

一、BC847AT-7-F升降压芯片的特性* 表面贴装封装* 重量:0.002克(近似值)* 根据JEDEC,最高焊接温度+260C持续30秒J-STD-020* 外壳材料-模制塑料 ,UL易燃性等级94V-0* 端子 :表面处理-哑光镀锡引线 ,可焊接二

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2022-07

DMT8012LPS-13与DMN6068LK3-13升降压芯片的特性

一、DMT8012LPS-13升降压芯片的特性BVDSS RDS(ON) ID TC = +25C 80V17mΩ @ VGS = 10V 65A21mΩ @ VGS = 4.5V 59A描述和应用该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻(RDS





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