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在2015 IEEE ISSCC囯际固态电路会上intel已经阐述它的10nm工艺制程。英特尔认为10nm可能是硅尺寸缩小的终点，未来要进入7nm时需要采用III-V族
，或纳米线等。据英特尔数据，它的产品的平均寿命周期是15年，而制程节点的平均寿命约为12年，所以至此它的65纳米制程技术仍在使用。

一

、MP4423升降压芯片的介绍

• 带 PG 信号和外部时钟同步的3A、36V高效同步降压转换器

• 4V 至 30V 连续宽输入工作电压范围

• 适用于汽车抛负载的 36V 输入瞬态耐压

• 85mΩ/55mΩ 低 RDS(ON) 内部功率 MOSFETs

• 高效同步工作模式

• 默认 410kHz 开关频率

• 200kHz 至 2.2MHz 外部时钟同步

• 适用于汽车冷车启动的高占空比

二
、BZX84C10Q-7-F升降压芯片的介绍

• 350mW表面安装齐纳二极管

• VF 0.9 V

• PD 300 Mw

• IZT  20mA

• IZK   1.0mA

• iR(µA) 0.2

• @VR 7.0V

• VZ @ IZT  10V