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事实上ITRS从2014年的报告中已经开始改变它的预测思路，认为半导体业中的尺寸缩小是个物理极限，早晚将至
，但是器件小型化可能持续下去。ITRS的结论，晶体管器件的栅长到2020年左右已不再沿斜率下降，而变得平坦

。

在最近的IEEE年会论文集中已有文章表示到2021年晶体管尺寸将停止继续缩小
。芯片制造商正在寻找其它的方法来增加晶体管的密度，把晶体管的结构由平面型转向垂直型


，例如在存储器中已出现堆叠层存储器，目前已达48层及64层的3D NAND闪存
。

一、MP3202升降压芯片的介绍

• 2.5V-6V输入电压，1.3A升压WLED驱动器

• 输入电压范围：2.5V 至 6V

• 集成功率 MOSFET

• 通过5V输入驱动多达39个白光LED

• 效率高达92%

• 1MHz 固定开关频率

• TSOT23-6 

二、MP6924升降压芯片的介绍

• 双路 LLC 同步整流器，具有低休眠模式电流和快速关断功能，可兼容 CCM/DCM 模式

• 可驱动12V标准MOSFETS和5V逻辑电平MOSFETS

• 符合能效之星 0.5W 待机要求

• 快速关断总延迟为 35ns

• 4.2V 至 35V VDD 宽输入工作电压范围

• 轻载模式下静态电流大约为 175µA

• 支持 CCM
、CrCM 和 DCM 工作模式

• 支持副边高端和低端整流

• 在典型笔记本适配器中使用能节电高达1.5W

• 采用 SOIC-8 封装