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在2015 IEEE ISSCC囯际固态电路会上intel已经阐述它的10nm工艺制程。英特尔认为10nm可能是硅尺寸缩小的终点，未来要进入7nm时需要采用III-V族，或纳米线等。据英特尔数据，它的产品的平均寿命周期是15年，而制程节点的平均寿命约为12年，所以至此它的65纳米制程技术仍在使用
。

一、MP28164升降压芯片的介绍

• 集成4.2A开关管的高效单电感 Buck-Boost 变换器

• 1.8V 最小上电输入电压

• 1.2V 至 5.5V 输入工作电压范围

• 1.5V 至 5V 输出电压范围

• 4.2A 开关管限流保护

• 输入电源为 2.5V 至 5.5V 时
，负载能力为 3.3V/2A

• 2Mhz 固定或外部同步开关频率

• QFN-11 (2mmx3mm) 封装

二

、DMTH6016LFVWQ升降压芯片的介绍

• 60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• AEC Qualified  YES

• Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP Automotive

• BVDSS  60V

• RDS(ON) max  16mΩ @ VGS = 10V

• D max TC = +25°C 41A

• RDS(ON) max  27mΩ @ VGS = 4.5V

• D max TC = +25°C  31.6A