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2D NAND在进入1xnm节点之后，器件耐久性和数据保持特性持续退化，单元之间的耦合效应难以克服
，很难解决集成度提高和成本控制的矛盾，进一步发展面临瓶颈
。发展3D NAND已经是大势所趋
。近期全球3D NAND的发展迎来少见的红火，之前认为仅三星独家领先的态势，可能需要重新思考
，至少各方之间的差距正逐步缩小
。因为谁都不愿在未来落后
。

一、MP2456升降压芯片完整信息介绍

0.5A, 50V, 1.2MHz 降压变换器，采用 TSOT23-6 封装

二
、MP6631升降压芯片完整信息介绍

• 4V Input, 3A Peak Phase Current, Three-Phase BLDC Motor Driver

• 3.6V to 24V Operating Input Voltage (VIN) Range

• Up to 3A of Peak Phase Current

• Integrated 160mΩ High-Side MOSFETs (HS-FETs) and Low-Side MOSFETs (LSFETs)

• Sinusoidal Drive

• Supports 0V to 1.2V DC Input or 1kHz to 100kHz Pulse-Width Modulation (PWM) Input

• Supports Triple-Hall or Single-Hall Element Differential Input

• Closed-/Open-Loop Speed Control

• Direction/Brake Input

• Power-Save Mode

• 5s/4.5s Lock Protection

• Over-Current Protection (OCP)

• Single-Pulse or Triple-Pulse FG Output per Electrical Cycle

• FG Signal: Rotational Speed Indication

• Soft Start (SS) for Low Noise and Current Overshoot

• Available in a QFN-26 (3mmx4mm) Package