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自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层
、32层
、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND
。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。

一、MP2459升降压芯片完整信息介绍

0.5A, 55V, 480kHz 降压转换器
，采用 TSOT23-6 封装

二
、MP4572升降压芯片完整信息介绍

• 2A、60V 高效率全集成同步降压变换器

• 4.5V 至 60V 宽工作输入电压（VIN）范围

• 内部 0.45ms 软启动（SS）

• 2A 连续输出电流（IOUT）

• 远程使能（EN）控制 电源正常（PG）指示

• 高效率同步控制模式

• 低压差模式

• 250mΩ/45mΩ 内部功率 MOSFET

• 过流保护（OCP）

• 可配置频率高达 2.2MHz

• S带打嗝保护模式的短路保护（SCP）

• 180°移相 SYNCO 时钟

• VIN 欠压锁定保护（UVLO

• 40μA 静态电流（IQ）

• 过温关断保护

• 低关断模式电流：2μA

• 采用 QFN-12（2.5mmx3mm）封装

• 反馈公差
：室温下为 1%，全温下为 2%

• 轻载时 AAM 或 CCM 工作模式可选