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近四个月以来，变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先，估计平均领先两年左右
，而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40%。但是东芝正后来居上，因为它的64层提前量产
，或者与三星同步，但是它的目标更为宏大，3D NAND在2017年目标要占它的NAND产出50%
，2018年达以80%，而目前仅5.4%。

一、MP6001升降压芯片完整信息介绍

• 15W，集成 150V 功率开关管的反激/正激 DC-DC 变换器

• 集成 0.9Ω 150V 功率开关管

• 逐周期限流保护

• 可编程的开关频率

• 带线电压前馈的占空比限制

• 集成 100V 启动电路

• 内部斜坡补偿

• 禁用功能

二、MP2307升降压芯片完整信息介绍

• 3A, 23V, 340KHz同步整流降压变换器

• 连续输出电流：3A

• 可调软启动功能

• 4A峰值输出电流

• 采用低 ESR 输出陶瓷电容器可稳定工作

• 宽工作输入电压范围：4.75V 至 23V

• 340kHz 固定频率

• 集成100mΩ功率 MOSFET

• 逐周期过流保护

• 可调输出电压
：0.925V 至 20V

• 输入欠压锁定保护

• 效率高达95%

• 采用散热性能增强的8 引脚SOIC封装