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3D NAND技术复杂，由于成品率低
，导致成本高
。依三星的技术水平
，估计它的48层3D NAND的成本已经接近2D NAND，未来64层时可能会占优势。而其他的各厂家现阶段仍然需要克服成本这一难题。这可以给中国存储厂商一些时间。 但是，不管如何
，到2018年长江存储实现诺言量产3D NAND时
，它的32层与三星可能已经达100层相比绝不占优势。技术只是一个方面，更为严峻的是制造成本方面的差距
。

一、MP5496升降压芯片完整信息介绍

• 集成 4 个 4.5A/2.5A/4A/2A 降压变换器
、5 个 LDO 的 2.8V 至 5.5V 电源管理 IC，通过 I2C 和 OTP 进行灵活的系统设置

• 0.6V 至 2.1875V/12.5mV 步进 VOUT范围

• 工作输入电压范围：2.8V - 5.5V

• 可调开关频率

• 可配置强制 PWM 模式、自动 PFM/PWM 模式

• 过流保护自动恢复功能（OCP）

• I2C 总线和 OTP

二、DMTH6016LPSQ-13升降压芯片完整信息介绍

• 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• BVDSS  60V

• RDS(ON)    ID TC = +25°C    16mΩ @ VGS = 10V    37.1A

• RDS(ON)    ID TC = +25°C    24mΩ @ VGS = 4.5V   30.3A