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MP5032与BZT52C43Q-7-F升降压芯片完整信息介绍

时间:2022-06-25 预览:667

MP5032与BZT52C43Q-7-F升降压芯片完整信息介绍

英特尔前段时间取得ARM技术授权震惊了不少人,因为这样一来意味着英特尔可以为2018年款旗舰iphoness的处理芯片作准备了 。然而,英特尔并不是唯一一家有可能会加入苹果芯片供应阵营的新厂商 。当全球芯片代工产业逐渐迈向10nm制程时代时,芯片代工大厂GlobalFoundries可能会选择跳过这一周期,直接研发7nm制程技术 。

根据报道,10nm制程的生命周期不会像目前的16mm(台积电)和14nm(三星电子)这样长,下一波芯片工艺的“主要技术战场”是7nm。

一、MP5032升降压芯片完整信息介绍

• 带集成限流开关 、支持快速充电规范3.0的控制器

• 3.6V 至 14V 宽工作输入电压范围

• 支持 QC 3.0(3.6V - 12V 输出) 、符合 BC1.2 规范的 DCP 方案 、Divider 模式、和 1.2V/1.2V 模式

• 用于 5V 输出的线路压降补偿

• 恒定的功率限制

• 32mΩ 低 RDS(ON) 功率 MOSFET

• 高压切换至低压时输入放电功能

二、BZT52C43Q-7-F升降压芯片完整信息介绍

• SURFACE MOUNT ZENER DIODE

• VZ @ IZT  43V

• IZT   5mA

• IZK   1.0mA

• iR(µA) 0.1

•  @VR  32V






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