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SOI 材料具有以下突出优点
：1
、低功耗;2、低开启电压;3、高速;4、提高集成度;5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序;6、耐高温;7
、抗辐照等
。 基于SOI 结构上的器件在本质上可以减小结电容和漏电流
，提高开关速度

，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术
，SOI 广泛应用于微电子的大多数领域

，同时还在光电子、MEMS 等其它领域得到应用。

一、MP3301升降压芯片性能介绍

• 2.5V-6Vin，36Vout, 700mA升压WLED驱动器

• 集成内部功率 MOSFET

• 可驱动最多10个串联的白光LED

• 效率高达89%

• PWM 调光和模拟调光功能

• 1.3MHz 固定开关频率

• 200mV 低反馈电压

• 内部700mA限流保护

• 负载开路关断

• 欠压锁定（UVLO）保护
、过温关断保护

• 采用 TSOT23-5 封装

二

、MBR5200VPTR升降压芯片性能介绍

• 高压功率肖特基整流器

• 低正向电压：0

。95V@+25C  

• 高浪涌电流容量

• +150℃工作结温

• 5A总计

• 压力保护用护环