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MP6631与BAW101Q升降压芯片性能介绍

时间:2022-07-04 预览:564

MP6631与BAW101Q升降压芯片性能介绍

硅是目前最重要的半导体材料,全球95%以上的半导体芯片和器件是用硅片作为基底功能材料而生产出来的。在可预见的未来,还没有其它材料(如石墨 烯等)可以替代硅的地位。在1960 年时期就有了0.75 英寸(约20mm)左右的单晶硅片。在1965 年左右Gordon Moore 提出摩尔定律时,还是以分立器件为主的晶体管  。

然后开始使用少量的1.25 英寸小硅片,进而集成电路用的1.5 英寸硅片更是需求大增。之后,经过2 英寸,3 英寸, 1975 年4 英寸登场开始在全球普及,接下来5 英寸 ,6 英寸,8 英寸,然后从2001 年开始进入12 英寸  。在2020 年左右,18 英寸(450mm)的硅片将开始投入使用 。

一、MP6631升降压芯片性能介绍

• 4V Input, 3A Peak Phase Current, Three-Phase BLDC Motor Driver

• 3.6V to 24V Operating Input Voltage (VIN) Range

• Up to 3A of Peak Phase Current

• Integrated 160mΩ High-Side MOSFETs (HS-FETs) and Low-Side MOSFETs (LSFETs)

• Sinusoidal Drive

• Supports 0V to 1.2V DC Input or 1kHz to 100kHz Pulse-Width Modulation (PWM) Input

• Supports Triple-Hall or Single-Hall Element Differential Input

• Closed-/Open-Loop Speed Control

• Direction/Brake Input

• Power-Save Mode

• 5s/4.5s Lock Protection

• Over-Current Protection (OCP)

• Single-Pulse or Triple-Pulse FG Output per Electrical Cycle

• FG Signal: Rotational Speed Indication

• Soft Start (SS) for Low Noise and Current Overshoot

• Available in a QFN-26 (3mmx4mm) Package

二、BAW101Q升降压芯片性能介绍

• 小讯号开关二极管

• 开关速度快,反向击穿电压高

• 一个紧凑的封装中的两个电气隔离元件

• 低泄漏电流





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