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D12V0H1U2WSQ与MP2229GQ-Z升降压芯片的特性

时间 :2022-07-28 预览 :658

D12V0H1U2WSQ与MP2229GQ-Z升降压芯片的特性

苹果的iphoness芯片在先进工艺采用上一直领跑行业 。近日消息报出,苹果已经做出决定,其最新的A11应用处理器将采用台积电10纳米生产 ,预计今年年底前可完成设计,最快将于2017年第二季度开始小规模生产,第三季度可望正式进入量产 。苹果2016年下半年即将推出的iphoness 7采用的是A10处理器。该芯片今年3月开始即在台积电以16纳米工艺进行投片。

一、D12V0H1U2WSQ升降压芯片的特性

• 数据传输线保护 1 CHANNEL UNIDIRECTIONAL TVS

• PPP 600 W

• IPP 25 A

• VESD_Contact ±30 kV

• VESD_Air ±30 kV

二 、MP2229GQ-Z升降压芯片的特性

MP2229 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器 。它提供了非常紧凑的解决方案 ,在宽输入范围内可实现 6A 的连续输出电流,具有极好的负载和线性调整率。 在输出负载范围内采用同步模式工作以达到高效率。






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