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高通方面迄今虽然没有明确表示其新一代手机芯片的工艺进展情况。但是
，自从骁龙820推出并于2016年陆续出货后，外界普遍对其评价不错，高通同样在骁龙625中采用14纳米工艺，可见其对先进工艺的重视。高通可能发布骁龙823，将采用最新10纳米工艺，该产品正式推上市场的时间在2017年。

一、B260A升降压芯片的特性

• 2.0A贴片安装肖特基势垒整流器

• VRRM /VRWM /VR 60V

• VR(RMS) 42V

• Io 2.0 A

• IFSM50 A

二
、MP2227DQ-LF-Z升降压芯片的特性

MP2227是一款具有内部补偿功能的1.6MHz定频 PWM 同步降压稳压器
。MP2227在3V至24V的输入电压范围内工作，可在高达3A的负载电流下产生0.8V至0.9xVIN的可调输出电压。它集成了一个160mΩ上管开关和一个80mΩ的同步整流器，无需外部肖特基二极管即可实现高效率
。