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MP2651与TLV431BQFTA升降压芯片的介绍

时间:2022-06-23 预览:630

MP2651与TLV431BQFTA升降压芯片的介绍

日本在全球新购半导体制造设备市占率超过30% ,而在半导体材料的占有率更高达50% ,尤其是在封装材料上更是领先;在IC晶圆厂及封装厂皆使用的Photoresist光阻剂上 ,日本JSR Micro,Inc.及ToK(东京应化工业株式会社)为全球前2大 。

一、MP2651升降压芯片的介绍

• I2C 控制、USB PD 6A 升降压充电器 IC,具有 OTG/源模式,适用于 1 至 4 节串联电池应用

• 用于 1 至 4 节串联电池组的升降压充电器 IC

• 4V 至 22V 工作输入电压 (VIN) 范围

• 高达 26V 的可耐受电压,或在使用外部 MOSFET时高达 28V的可耐受电压

• 高达 6A 的输出电流 (IOUT),步进值为 50mA

• 500kHz 至 1.2MHz 可配置开关频率 (fSW)

二 、TLV431BQFTA升降压芯片的介绍

• 1.24V COST EFFECTIVE SHUNT REGULATOR

• Low-Voltage Operation VREF = 1.24V

• Temperature Range -40 to +125°C

• Reference Voltage Tolerance at +25°C

• 0.5% TLV431B

• 4mV (0°C to +70°C) 6mV (-40°C to +85°C) 11mV (-40°C to +125°C

• 80µA Minimum Cathode Current

• 0.25Ω Typical Output Impedance

• Adjustable Output Voltage VREF to 18V






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